崗位名稱

待遇保障

崗位申報條件

頂尖人才

科創(chuàng)中心為頂尖人才及其創(chuàng)新團隊提供充足科研資助和有競爭力的薪酬保障，采取“一人一議、一事一議”的方式。

中國科學院和工程院院士、發(fā)達國家院士、諾貝爾獎獲得者、國際大獎獲得者或相當水平的海內(nèi)外頂尖學者。

攻堅人才

（1）提供有競爭力的市場化薪酬，具體一人一議；

（2）符合條件者可享受科創(chuàng)中心人才房政策；

（3）提供500-1200萬科研資助；

（4）提供150m2+辦公、科研用房；

（5）提供“專人一站式”服務，共享科創(chuàng)中心大型儀器設備；

（6）符合條件者可享受杭州市、蕭山區(qū)相應人才政策，協(xié)助申請人才配套用房；

（7）符合相關要求的，可申請浙江大學長聘教職崗位。

教育部“獎勵計劃”獲得者、國家杰出青年科學基金獲得者或相當水平的海內(nèi)外領軍學者。

青年人才-“科創(chuàng)百人計劃”（求是科創(chuàng)學者）

（1）提供有競爭力的市場化薪酬，具體一人一議；

（2）符合條件者可享受科創(chuàng)中心人才房政策；

（3）提供300萬+科研資助；

（4）提供良好的辦公環(huán)境和充足的研究空間；

（5）可兼聘至浙江大學相關院系，領域資深專家擔任職業(yè)導師；

（6）提供“專人一站式”服務，共享科創(chuàng)中心大型儀器設備；

（7）符合條件者可享受杭州市、蕭山區(qū)相應人才政策，協(xié)助申請地方政府人才配套用房；

（8）符合相關要求的，可申請浙江大學長聘/預聘教職崗位。

在海內(nèi)外高水平大學或研究機構獲得博士學位；具有國際高水平大學助理教授相當學術水平，或海內(nèi)外龍頭企業(yè)總工程師、副總工程師、技術總監(jiān)等職位相當水平；能獨立發(fā)展一個學術或工程技術方向，有潛力成長為學術或技術帶頭人；年齡一般在35周歲左右，特別優(yōu)秀者可適當放寬；具有物理、材料、微電子、電氣工程、化學等方向堅實的專業(yè)基礎和較深的學術造詣，對寬禁帶半導體材料與器件研究領域有足夠的學科背景支持和較好的研究積累與想法，從事過交叉學科研究者優(yōu)先考慮；有寬禁帶半導體材料與器件領域院士或國際知名專家推薦者優(yōu)先考慮。

青年人才-科創(chuàng)青年人才

（1）提供有競爭力的市場化薪酬，具體一人一議；

（2）符合條件者可享受科創(chuàng)中心人才房政策；

（3）提供50-100萬科研資助；

（4）提供良好的辦公環(huán)境和充足的研究空間；

（5）提供“專人一站式”服務，共享科創(chuàng)中心大型儀器設備；

（6）符合條件者可享受杭州市、蕭山區(qū)相應人才政策，協(xié)助申請地方政府人才配套用房；

（7）符合相關要求的，可申請浙江大學長聘/預聘教職崗位。

在國內(nèi)外頂尖高?；蛑芯繖C構獲得博士學位；在相關領域具有良好的學科背景、研究積累以及創(chuàng)新研究思路，有堅實的專業(yè)基礎和較深的學術造詣；具備作為獨立PI開展研究工作的能力；年齡一般不超過35周歲；具有物理、材料、微電子、電氣工程、化學等方向堅實的專業(yè)基礎和較深的學術造詣，對寬禁帶半導體材料與器件研究領域有足夠的學科背景支持和較好的研究積累與想法，從事過交叉學科研究者優(yōu)先考慮；原則上要求至少有一站博士后或兩年工作經(jīng)歷。

博士后研究人員

（1）根據(jù)科研工作能力提供具有競爭力的薪酬（含地方政府人才補助），具體面議（應屆博士畢業(yè)生另可獲得杭州市應屆生生活補貼10萬元）；

（2）對獲得中國博士后科學基金資助和省級博士后科研項目資助的，杭州市、蕭山區(qū)分別給予相應配套資助；

（3）參與科創(chuàng)中心重大課題研究并取得顯著成績的，可獲得額外資助或津貼；

（4）提供一流的實驗與科學研究條件；

（5）協(xié)助申請杭州市、蕭山區(qū)人才配套用房；

（6）工作期間表現(xiàn)優(yōu)秀、業(yè)績突出者，如符合相應要求，可優(yōu)先推薦申請科創(chuàng)中心“求是科創(chuàng)學者”崗位或技術開發(fā)崗位；

（7）在站期間，符合條件者可申報科創(chuàng)中心相關系列高級專業(yè)技術職務；出站優(yōu)秀者入職科創(chuàng)中心的可認定副研究員職稱，并可獲得地方政府80萬人才補貼；

近三年內(nèi)獲得博士學位，身心健康，年齡不超過35周歲；具有相關學科背景；有較強的團隊合作意識和獨立科研工作能力；具備良好的英語聽說讀寫能力；能夠全職從事博士后工作，無博士后退站經(jīng)歷。

序號

全名

重點引進方向

需求專業(yè)

1

半導體材料研究室（該研究室招聘頂尖人才、攻堅人才、青年人才及博士后）

寬禁帶半導體材料（包括但不限于以下方向）：

碳化硅單晶的生長、碳化硅薄膜的外延、碳化硅中的雜質(zhì)和缺陷、碳化硅的電化學、碳化硅的表面及界面、碳化硅的新穎原型器件、氮化鎵薄膜的外延、半導體金剛石單晶薄膜的生長、氧化鎵單晶的生長、氧化鎵中的雜質(zhì)和缺陷、寬禁帶半導體材料與二維材料的前沿交叉、寬禁帶半導體材料的制備和加工設備。

物理、材料、微電子、電氣工程、化學等相關專業(yè)

2

功率芯片研究室（該研究室招聘頂尖人才、攻堅人才、青年人才及博士后）

寬禁帶半導體器件（包括但不限于以下方向）：

碳化硅功率器件、氮化鎵功率器件、氧化鎵功率器件、其他寬禁帶功率器件、單芯片集成技術、多芯片集成技術、芯片散熱技術、能量收集技術、寬禁帶傳感技術芯片、其他寬禁帶技術等。

物理、材料、微電子、電氣工程、化學等相關專業(yè)

3

封裝測試研究室（該研究室招聘頂尖人才、攻堅人才、青年人才及博士后）

封裝測試和應用（包括但不限于以下方向）：

功率器件的封裝、其他相關器件的封裝、模塊集成測試技術和電力電子裝置的開發(fā)。

物理、材料、電氣工程、微電子等相關專業(yè)

4

射頻芯片研究室（該研究室招聘頂尖人才、攻堅人才）

射頻芯片（包括但不限于以下方向）：

氮化鎵射頻器件、氧化鎵射頻器件、金剛石射頻器件、射頻芯片設計開發(fā)（如功率放大器、低噪聲放大器、開關、混頻器、微波控制芯片、頻率變換芯片、微波多功能芯片等）。

微電子、電磁場與微波、電子工程、半導體器件與工藝、凝聚態(tài)物理、信息處理技術、軟件開發(fā)與計算機應用技術、自動控制與系統(tǒng)工程、傳感器與執(zhí)行器技術等相關專業(yè)

5

MEMS實驗室（該實驗室招聘攻堅人才）

MEMS（包括但不限于以下方向）：

薄膜體聲波諧振器（FBAR）技術、聲表面波（SAW）技術、射頻有源無源異質(zhì)異構單片集成技術、5G/6G射頻濾波器開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化等。

電子科學與技術、微電子、物理、材料、通信等相關專業(yè)