詳見公告正文

人才條件：
畢業(yè)于海內(nèi)外高校、科研院所的優(yōu)秀博士（后），原則上年齡不超過35周歲。

需求專業(yè)方向
材料學、材料物理與化學、凝聚態(tài)物理、微電子學、光電子技術(shù)、光學工程、數(shù)學與應(yīng)用數(shù)學、計算機圖形學、集成電路工程、機械工程、儀器科學、微波工程、半導(dǎo)體鍍膜、微波無源器件、毫米波天線、相控陣列天線、毫米波復(fù)合材料、微波介電陶瓷器件、微波工程、工業(yè)設(shè)計及與半導(dǎo)體/集成電路相關(guān)專業(yè)。

人才待遇：
1.作為博士后入站
在站期間（2年）薪酬：
（1）按半導(dǎo)體所博士后管理規(guī)定，每年由單位發(fā)放薪酬30萬元（稅前，含15萬元廣東省博士后補貼），其中24萬元按月發(fā)放，6萬中期考核后發(fā)放。
（2）租房補貼3萬元/年，按月發(fā)放，發(fā)放2年。
（3）科研業(yè)績突出者，年底額外給予一定科研獎勵。
即年均最低薪酬待遇總額（稅前）：30+3=33萬元（未含每月午餐補貼）
（4）除上述薪酬外，單位還提供：
a.科研啟動費20萬元；
b.如新增科研項目經(jīng)費、橫向經(jīng)費等，可根據(jù)所績效分配方案于年底額外獲得獎勵績效；
c.符合以下條件者，經(jīng)認定后還可額外享受10萬元/年津貼：
泰晤士、USNEWS、QS等高等教育世界大學前200名高校博士生，相應(yīng)學位證書應(yīng)獲國家教育部認證*。
滿足該條件且經(jīng)所遴選的博士后最低年薪為：33+10=43萬元
*地方政策請以最新文件為準。
d.在站期間可直接申報副高級專業(yè)技術(shù)職稱(符合年限及業(yè)績要求)，不受所在單位崗位比例限制。
出站后可享受的人才政策：
（1）優(yōu)先留所：在站期間科研能力出色，優(yōu)先留所任職及進入相應(yīng)研發(fā)崗位。
（2）留所待遇按半導(dǎo)體所薪酬體系執(zhí)行。
a.前3年為支持培養(yǎng)期，經(jīng)申請可獲所“青年人才培育資助”，根據(jù)崗位等級提供保底年薪（稅前）25萬。年底由所在部門根據(jù)業(yè)績情況，另外發(fā)放年終獎勵性績效。
b.如獲入選所“新芯人才計劃”，支持培養(yǎng)期結(jié)束后可獲資助2-7萬/年，資助3年。
c.科研業(yè)績突出者，年底額外給予一定科研獎勵。
（3）符合廣東省及所的基本入編條件的，經(jīng)上級機關(guān)批準后納入省級事業(yè)單位編制管理。
（4）獲批海外博士后人才支持項目留粵工作可獲留粵資助40萬（分3年支持）*。
*地方政策請以最新文件為準。
（5）如入選國家、省、市相應(yīng)人才計劃，疊加資助。
（6）如進入已有成果轉(zhuǎn)化的部門，能力突出者可獲得股權(quán)激勵。
2.作為研發(fā)人員進入研發(fā)崗位：
（1）按半導(dǎo)體所薪酬體系進入相應(yīng)研發(fā)崗位。
a.前3年為支持培養(yǎng)期，經(jīng)申請可獲所“青年人才培育資助”，根據(jù)崗位等級提供保底年薪（稅前）25萬。年底由所在部門根據(jù)業(yè)績情況，另外發(fā)放年終獎勵性績效。
b.如獲入選所“新芯人才計劃”，支持培養(yǎng)期結(jié)束后可獲資助2-7萬/年，資助3年。
（2）科研業(yè)績突出者，年底額外給予一定科研獎勵。
（3）工作滿2年后，符合廣東省及所的基本入編條件的，經(jīng)上級機關(guān)批準后納入省級事業(yè)單位編制管理。特別優(yōu)秀者，可經(jīng)上級機關(guān)批準后入職直接納入省級事業(yè)單位編制管理。
（4）如入選國家、省、市相應(yīng)人才計劃，疊加資助。
（5）如進入已有成果轉(zhuǎn)化的部門，能力突出者可獲得股權(quán)激勵。
3.其他福利保障：
（1）子女處于學齡階段的，可協(xié)助入讀省一級幼兒園、省一級小學。
（2）協(xié)助辦理人才落戶廣州；符合條件者，據(jù)需協(xié)助辦理外國人永久居留證、廣東省人才優(yōu)粵卡等。
（3）享有五險一金、節(jié)假日福利、帶薪年休假、年度健康體檢、業(yè)務(wù)培訓(xùn)和各類文體活動等。
（4）可申報所“青年人才培育資助”、“新芯人才計劃”、所級科技計劃項目等。
（5）特別優(yōu)秀人才可通過職稱評審綠色通道申報參評高級專業(yè)技術(shù)職務(wù)。
（6）協(xié)助申請轄區(qū)人才公寓、公租房。