一、研究所簡介
1956年，在新中國首個中長期科學技術發(fā)展的綱領性文件——《1956-1967年科學技術發(fā)展遠景規(guī)劃》中，半導體科學技術被確立為國家新技術發(fā)展的四大緊急措施之一。為奠定中國半導體科學技術研究的基石、構建系統(tǒng)化的研發(fā)體系，我國于1960年9月在北京成立中國科學院半導體研究所(Institute of Semiconductors,CAS)，開啟了中國半導體科學技術的發(fā)展之路。
建所65年來，半導體研究所在我國半導體科技發(fā)展的各個歷史階段均做出了重大貢獻，取得了令人矚目的成就：中國第一根鍺單晶、硅單晶、砷化鎵單晶，第一只鍺晶體管、硅平面晶體管，第一塊集成電路，第一臺硅單晶爐、區(qū)熔爐等，均誕生于半導體研究所。研究所共獲得國家級獎勵近40項，黃昆院士榮獲2001年度國家最高科學技術獎。
半導體研究所作為集半導體物理、材料、器件研究及系統(tǒng)應用為一體的國家級綜合性研究機構，擁有兩個全國重點實驗室——光電子材料與器件全國重點實驗室、半導體芯片物理與技術全國重點實驗室；兩個國家級研究中心—國家光電子工藝中心、光電子器件國家工程研究中心；一個院級實驗室——中國科學院固態(tài)光電信息技術重點實驗室；還設有納米光電子實驗室、人工智能與高速電路實驗室、光電系統(tǒng)實驗室、全固態(tài)光源實驗室、寬禁帶半導體研發(fā)中心、光電子工程中心、半導體集成技術工程研究中心和元器件檢測中心?，F有職工700余人，其中包括中國科學院院士8名，中國工程院院士1名，高層次引進人才計劃入選者53人，國家級領軍人才計劃入選者27人，國家級青年人才計劃入選者17人。研究所設有3個博士后流動站，擁有8個學術型學科專業(yè)博士和碩士培養(yǎng)點，以及2個專業(yè)學位領域培養(yǎng)點。作為中國科學院大學材料科學與光電技術學院的主辦單位，研究所主辦的“材料科學與工程”學科入選國家一流學科。
二、光電子材料與器件全國重點實驗室簡介
光電子材料與器件全國重點實驗室依托于中國科學院半導體研究所，于2024年底獲科技部批復。
使命定位：面向光電子材料與器件前沿領域，聚焦異質異構集成、多維光電調控與多功能一體化等關鍵技術，開展前瞻性與原創(chuàng)性研究，構建“產-學-研”融合科技攻關聯(lián)合體，滿足國家光通信領域對高端光電子材料與器件的重大需求。
特色成果：長期深耕光電子材料與器件前沿，構建了貫穿半導體光電子“機理-材料-芯片-器件-應用”全鏈條研發(fā)體系。材料體系涵蓋InP、GaAs、GaSb、硅基、鐵電等Ⅲ-Ⅴ族化合物及新型半導體材料。在半導體激光器、調制器、探測器及光子集成等核心光電子材料與器件領域長期處于國內領先、國際先進水平。目前已經形成從材料外延、器件制備、芯片集成、封裝測試到系統(tǒng)應用的自主可控技術體系，是我國光電子材料與器件領域的核心研究單元。
實驗室誠邀半導體科學與技術相關領域，包括半導體材料與器件、半導體光電子學、微電子學與固體電子學、物理電子學、集成電路科學與工程、光學工程、電路與系統(tǒng)、電子信息等學科方向的優(yōu)秀人才加入。
精通上述方向中一項者皆可加入，具有交叉科研背景優(yōu)先，以個人強項融入團隊研發(fā)，相互學習多學科最新技術，在項目中拓展個人研究領域與能力。
三、招聘崗位
（一）優(yōu)秀人才A類崗位
1．崗位要求
（1）原則上年齡不超過50周歲。
（2）海外申請人應具有在海外知名科研機構、高?；虼笮推髽I(yè)研發(fā)機構等擔
國內申請人應具有在國內知名科研機構、高校或大型企業(yè)研發(fā)機構等擔任三級（含）以上教授或相當崗位的任職經歷，是國內相關領域優(yōu)秀的學術技術帶頭人。
（3）引進后需全職到崗工作。
2．崗位待遇
（1）聘任為研究員（正高級編制崗位)、博士生導師?？杉尤虢ㄖ苹瘒壹壯芯繄F隊，或獨立設立課題組、研究所協(xié)助建立研究團隊。
（2）1000-1600萬元科研經費。
（3）提供具有國際競爭力的薪酬待遇，年薪70萬元/年以上；
（4）除中國科學院200萬元生活補貼外，研究所提供租房補貼、特殊人才津貼、住房補貼等各項津補貼以及全方位的福利保障。
（5）其他支持：提供科研所需的辦公和實驗用房；享受人才長租房，提供直至退休的人才長租房政策；按照相關政策解決本人及配偶、子女在京落戶，及子女入托入學等。
（二）優(yōu)秀人才B類崗位
1．崗位要求
（1）原則上年齡不超過40周歲。
（2）海外申請人應具有取得博士學位后在海外知名科研機構、高?；虼笮推髽I(yè)研發(fā)機構連續(xù)不少于3年（含）的科研工作經歷（在海外取得博士學位且特別優(yōu)秀或急需者，海外工作年限可適當放寬）。通過國家或單位派出赴海外學習工作的，申請項目時應妥善處理與原派出單位人事和經濟關系。
國內申請人（院外）應具有取得博士學位后在知名科研機構、高校或大型企業(yè)研發(fā)機構不少于3年（含）的科研工作經歷，或具有擔
本所特別研究助理申請人應獲得過“特別研究助理資助項目”支持，并在我所具有不少于3年（含）的特別研究助理工作經歷，且取得由院外單位頒發(fā)的博士研究生畢業(yè)證書
（3）引進后需全職到崗工作。
2．崗位待遇
通過研究所招聘后全職到崗的Ｂ類崗位備案人才，可享受如下待遇：
（1）聘為副高一級編制崗位，享受正高四級的崗位津貼。
（2）100萬元科研啟動經費。
（3）提供有競爭力的薪酬待遇。
（4）其他支持：提供科研所需的辦公和實驗用房；享受人才長租房和租房補貼；按照相關政策解決本人及配偶、子女在京落戶，及子女入托入學等。
通過擇優(yōu)正式入選中國科學院相關人才計劃的Ｂ類崗位人才，可增加如下待遇：
（1）聘為研究員崗位（正高級編制崗位)，博士生導師，協(xié)助建立研究團隊。
（2）300-900萬元科研經費（含項目評估優(yōu)秀追加200萬元）。
（3）提供有競爭力的薪酬，年薪40萬元/年以上。
（4）除中國科學院100萬元生活補貼外，研究所提供租房補貼、特殊人才津貼、住房補貼等各項津補貼以及全方位的福利保障。
（三）優(yōu)秀青年人才崗位
1．崗位要求
申請人需符合國家自然科學基金優(yōu)秀青年科學基金項目（海外）項目指南的要求：
（1）遵守中華人民共和國法律法規(guī)，具有良好的科學道德，自覺踐行新時代科學家精神；
（2）年齡在40歲以下；
（3）具有博士學位；研究方向主要為自然科學、工程技術等；
（4）在取得博士學位后，一般應在海外知名高校、科研機構、企業(yè)研發(fā)機構獲得正式教學或者科研職位，且具有連續(xù)36個月以上工作經歷；在海外取得博士學位且業(yè)績特別突出的，可適當放寬工作年限要求，在海外工作期間，同時擁有境內帶薪酬職位的申請人，其境內帶薪酬職位的工作年限不計入海外工作年限；
（5）取得同行專家認可的科研或技術等成果，且具有成為該領域學術帶頭人或杰出人才的發(fā)展?jié)摿Γ?/span>
（6）申請人尚未全職回國（來華）工作，或者回國（來華）工作不滿一年。獲資助通知后須辭去海外工作并全職回國（來華）工作不少于3年。
詳細申報條件請參見網址：
*國家自然科學基金優(yōu)秀青年科學基金項目（海外）項目指南
（https://www.nsfc.gov.cn/publish/portal0/tab434/info94490.htm）
2．崗位待遇
（1）聘任為研究員（正高級編制崗位)、博士生導師?？杉尤虢ㄖ苹瘒壹壯芯繄F隊，或獨立設立課題組、研究所協(xié)助建立研究團隊。
（2）900萬元以上的科研經費（含項目評估優(yōu)秀追加200萬元）。
（3）提供具有國際競爭力的薪酬待遇。
（4）除國家和中國科學院100萬元生活補貼外，研究所提供租房補貼、特殊人才津貼、住房補貼等各項津補貼以及全方位的福利保障。
（5）其他支持：提供科研所需的辦公和實驗用房；享受人才長租房，提供直至退休的人才長租房政策；按照相關政策解決本人及配偶、子女在京落戶，及子女入托入學等。
四、申請程序
（一）招聘崗位全年有效。歡迎來電來信咨詢，并將個人簡歷、已取得的代表性成果證明材料、今后的工作計劃等發(fā)送至：oematdev@semi.ac.cn，請【點擊下方“立即投遞/投遞簡歷”，即刻進行職位報名】；
（二）通過答辯的申請人與半導體所簽訂工作意向協(xié)議書/聘用合同，依托半導體研究所申報中國科學院引才計劃，或者申報國家自然科學基金優(yōu)秀青年科學基金項目（海外）。
五、聯(lián)系方式
地址：北京市海淀區(qū)清華東路甲35號（郵編：100083）
聯(lián)系人：光電子材料與器件全國重點實驗室辦公室
郵箱：oematdev@semi.ac.cn
電話：86-10-82304100
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