中國科學院微電子研究所 中國科學院微電子研究所（以下簡稱"微電子所"）成立于1958年，是我國微電子科學技術與集成電路領域的重要研發(fā)機構之一，是集成電路制造技術全國重點實驗室的依托單位，研究方向涉及半導體器件與集成電路制造、集成電路設計與電子系統(tǒng)、集成電路裝備等領域，擁有先進的科研條件與平臺，具備從原理器件、集成工藝、制造裝備到核心芯片研發(fā)的全鏈條、體系化科技創(chuàng)新與關鍵核心技術攻關能力。
根據研究所"十四五"規(guī)劃及重大科研任務的需要，面向海內外誠邀優(yōu)秀畢業(yè)生加盟。
·招聘崗位：特別研究助理崗位（博士后）、工程師/助理工程師崗位
·招聘對象：集成電路設計、制造、封裝、測試領域相關專業(yè)，以及物理、化學、材料等基礎研究類相關專業(yè)，有志于從事集成電路領域研究工作的應屆博士/碩士畢業(yè)生。
·簡歷投遞：請將崗位申請表投遞至聯(lián)系人郵箱并抄送至hr@ime.ac.cn。郵件主題和附件文件名稱格式：應聘部門+姓名+畢業(yè)學校+專業(yè)+學位。
（一）特別研究助理崗位(博士后)
·事業(yè)平臺：提供事業(yè)發(fā)展平臺，參與國家重大科研項目，給予充足科研經費保障，提供一流的工藝、器件、檢測、設計、封測等研發(fā)平臺；積極推薦并協(xié)助申請"博新計劃"、中國科學院特別研究助理資助項目等。
·職業(yè)生涯：暢通的崗位晉升通道，在站期間可競聘副高級崗位，出站可申請事業(yè)編制崗位，留所比例超80%；特別優(yōu)秀者可申報中國科學院相關人才項目，入選后可聘為正高級崗位、科研經費支持可達800萬。
·薪酬待遇：參照副高級崗位薪酬待遇，稅前年薪30~40萬元起（"六險兩金"單位繳納部分由研究所承擔，不計入上述數(shù)值），特別優(yōu)秀者上不封頂，按一人一策原則確定。
·福利保障：提供人才公寓（可拎包入?。?，特別優(yōu)秀者可免費入??；進站后解決北京戶口，出站后符合留京政策的，為本人及配偶、子女辦理落戶手續(xù)，協(xié)助解決子女入園入學；享六險兩金、帶薪年假、工會福利、年度體檢等。
（二）工程師/助理工程師崗位
·薪酬待遇：按國家、院和研究所相關制度執(zhí)行。
·福利保障：為符合條件的應屆碩士畢業(yè)生擇優(yōu)解決北京戶口；享六險兩金、帶薪年假、工會福利、年度體檢等。
張老師 010-82995846/hr@ime.ac.cn（問題咨詢）
地址：北京市朝陽區(qū)北土城西路3號
網址：http://www.ime.cas.cn/
部門 |
招聘方向 |
聯(lián)系方式 |
微電子器件與集成技術研發(fā)中心 |
芯片電路設計、算法；存儲器存算一體技術；新范式智能計算芯片與系統(tǒng)；嵌入式存儲器研究；自旋轉矩磁性隨機存儲器；新型磁電耦合及自旋電子器件 |
張老師，zhangkangwei@ime.ac.cn |
系統(tǒng)封裝與集成研發(fā)中心 |
先進封裝集成設計；三維異質異構集成可靠性研究；微電子、化學、高分子材料；物理、磁材料合成；磁性元件設計；磁性薄膜制備；電力電子技術；功率集成電路設計；機械自動化；MEMS傳感；3D異質異構集成；微系統(tǒng)散熱 |
尹老師，yinwen@ime.ac.cn |
集成電路先導工藝研發(fā)中心 |
納米CMOS器件及集成工藝研發(fā)；三維邏輯器件關鍵技術及集成工藝研發(fā)；SRAM研發(fā)制造；先進邏輯器件可靠性研究；硅基光電集成；晶圓工藝工程師；工藝線操作人員；工藝研發(fā)整合工程師；客戶工程師 |
icachr@ime.ac.cn |
EDA中心 |
先進器件工藝仿真建模及工具開發(fā)、電子設計自動化EDA技術、集成電路設計與IP核開發(fā)、設計與工藝協(xié)同優(yōu)化、EDA軟件開發(fā) |
李老師，010-82995812，13811785166，lizhiqiang@ime.ac.cn |
抗輻照器件技術重點試驗室 |
數(shù)字電路設計；模擬電路設計；PCB板級測試；射頻芯片設計；接口電路設計；存儲器設計；功率電路設計；計算機科學與技術；物理/應用物理；材料工程 |
高老師，13810023672，gaojiantou@ime.ac.cn |
智能感知芯片與系統(tǒng)研發(fā)中心 |
人工智能芯片設計；低功耗集成電路設計；數(shù)字集成電路設計；模擬集成電路設計；射頻集成電路設計；系統(tǒng)硬件設計；嵌入式音視頻設計；人工智能算法設計 |
何老師，hehuan@ime.ac.cn |
通信與信息工程研發(fā)中心 |
通感一體化；分布式組網；智能芯片；人工智能；多模態(tài)大模型；類腦智能 |
高老師，gaoxingyu@ime.ac.cn |
高頻高壓器件與集成研發(fā)中心 |
超寬/寬禁帶化合物半導體器件和電路；高速高精度ADC模擬及數(shù)字電路設計；高性能GaN基電力電子和射頻微波器件；Si基GaN智能功率集成電路；III族氮化物半導體電子器件的先進制備工藝；表征技術及器件物理GaN射頻微波器件關鍵工藝開發(fā)；GaN微波器件與電路設計；GaN微波器件與電路測試表征及可靠性；寬禁帶半導體異質集成 |
常老師，changhudong@ime.ac.cn |
微電子儀器設備研發(fā)中心 |
模型、軟件算法；MEMS器件研發(fā)與電路開發(fā)；CMOS-MEMS設計研究；精密光學儀器系統(tǒng)、光學儀器、光學結構設計；光學儀器平臺的搭建、實驗、系統(tǒng)集成和數(shù)據分析 |
遠老師，yuanyan@ime.ac.cn |
光電技術研發(fā)中心 |
光學檢測；光機精密設計；光學測量與軟件；機器視覺；高速信號處理；高速嵌入系統(tǒng)研發(fā)；電子自動測試 |
姚羽，13811147689，yaoyu2020@ime.ac.cn |
極紫外光刻；光學檢測；精密儀器 |
韓老師，18611551425，hanxuerong@ime.ac.cn |
|
光子集成設計；光電系統(tǒng)設計研究 |
喬老師，13240946662，qiaozhi@ime.ac.cn |
|
固體激光技術；微納光子；泵浦激光器 |
崔老師，18810008217，cuihuirong@ime.ac.cn |
|
新技術開發(fā)部 |
存儲器芯片設計技術研究；固態(tài)存儲可靠性及糾錯系統(tǒng)研究；基于NAND閃存的存算一體架構研究；高性能系統(tǒng)芯片研究；新型存儲器的器件制備、電輸運測試及物理機理分析等 |
王老師，010-82995868，13810608169，wangsining@ime.ac.cn |
電路與系統(tǒng)、自動化、光刻技術 |
齊老師，82995873，qiyuejing@ime.ac.cn |
