研究方向
碳化硅單晶生長(zhǎng)與器件研制：
1. 半導(dǎo)體單晶生長(zhǎng)工藝開發(fā)
2. 半導(dǎo)體單晶生長(zhǎng)設(shè)備設(shè)計(jì)與開發(fā)
3. 半導(dǎo)體單晶缺陷與雜質(zhì)的研究

招募條件
（1）近三年內(nèi)獲得博士學(xué)位，身心健康，年齡不超過35周歲；
（2）具有相關(guān)學(xué)科背景、較強(qiáng)的團(tuán)隊(duì)合作意識(shí)和獨(dú)立科研工作能力；
（3）能夠全職從事博士后工作，無(wú)博士后退站經(jīng)歷。

崗位要求（所需專業(yè)）
材料、物理、化學(xué)、機(jī)械、微電子等

我們?yōu)槟峁?br>（1）提供具有競(jìng)爭(zhēng)力的薪酬（年薪一般40萬(wàn)元+，含享受地方政府免稅人才補(bǔ)助）；應(yīng)屆博士畢業(yè)生，符合條件者可額外享受人才補(bǔ)貼；
（2）提供專項(xiàng)科研經(jīng)費(fèi)支持；對(duì)獲得中國(guó)博士后科學(xué)基金資助和省級(jí)博士后科研項(xiàng)目資助的，分別給予相應(yīng)配套資助和獎(jiǎng)勵(lì)；對(duì)生源優(yōu)秀或取得標(biāo)志成果的博士后，給予額外獎(jiǎng)勵(lì)（相關(guān)獎(jiǎng)勵(lì)可疊加）；
（3）符合條件的，可申報(bào)博士后海外引才專項(xiàng)，享受三年生活補(bǔ)助和安家費(fèi)相關(guān)政策；
（4）表現(xiàn)優(yōu)秀、業(yè)績(jī)突出者，如符合相應(yīng)要求，可優(yōu)先推薦申請(qǐng)科創(chuàng)中心青年人才、技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)業(yè)人才等崗位；
（5）在站期間，符合條件者可申報(bào)科創(chuàng)中心相關(guān)系列高級(jí)專業(yè)技術(shù)職務(wù)；出站優(yōu)秀者入職科創(chuàng)中心的可認(rèn)定副研究員職稱，并可獲得地方政府80萬(wàn)元安家補(bǔ)助；
（6）出站后留杭或蕭山工作的，可申請(qǐng)杭州市D類人才，享受蕭山區(qū)政府相應(yīng)人才政策；
（7）協(xié)助解決子女教育入學(xué)、辦理落戶、政府人才配套用房申請(qǐng)、人才項(xiàng)目申報(bào)、人才認(rèn)定等；
（8）提供一流的科研條件和博士后俱樂部等交流平臺(tái)，享受園區(qū)一站式保障服務(wù)，如食堂、健身房、體育館等。

應(yīng)聘材料
個(gè)人簡(jiǎn)歷（包括個(gè)人基本信息、學(xué)習(xí)和工作經(jīng)歷、主要學(xué)術(shù)成績(jī)、承擔(dān)科研項(xiàng)目情況、發(fā)表文章目錄、專利及獲獎(jiǎng)情況等）整合為單一PDF文檔