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博士后

面議
北京 博士研究生 若干人 2025-04-30發(fā)布 查看公告詳情
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聲明:本站部分公告與職位內(nèi)容由本站根據(jù)官方招聘公告進(jìn)行整理編輯。由于用人單位需求專業(yè)、學(xué)歷學(xué)位、資格條件、職位編制、備注內(nèi)容等內(nèi)容情況復(fù)雜且有變化可能,是否符合招聘條件以用人單位公告為準(zhǔn)或請聯(lián)系用人單位確認(rèn)。本站整理編輯的職位信息僅供求職者參考,如因此造成的損失本站不承擔(dān)任何責(zé)任!
職位詳情
基本信息
職位名稱:博士后
職位類型:博士后
工作地點(diǎn):北京
招聘人數(shù): 若干
報名方式: 電子郵件
截止時間:詳見正文
其他要求
學(xué)歷要求:博士研究生
年齡要求:不超過35周歲
該需求專業(yè)僅展示一級學(xué)科
崗位職責(zé)
受聘博士后主要從事(不限于)高性能碳納米管器件與集成電路相關(guān)研究,歡迎擁有電子、材料、化學(xué)等相關(guān)背景的畢業(yè)/準(zhǔn)畢業(yè)博士生申請。
任職要求
1.年齡不超過35周歲,獲得博士學(xué)位不超過3年;
2.博士期間在相關(guān)領(lǐng)域的主流期刊上發(fā)表過文章,有良好的中英文寫作能力和良好的團(tuán)隊(duì)溝通能力。。
3.對待科研工作認(rèn)真負(fù)責(zé),執(zhí)行力強(qiáng),有獨(dú)立思考能力。
其他說明
有以下一條或多條相關(guān)背景的博士后候選人將被優(yōu)先考慮:
1.原子層沉積(ALD)技術(shù)背景;
2.低維材料電子器件制備研究背景;
3.集成電路設(shè)計研究背景。
競爭力分析
解鎖詳細(xì)分析
您與該職位匹配度: ***,已超過了 *** 的競爭者,建議************
較低
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重要風(fēng)險提示:如招聘單位在招聘過程中向求職者提出收取押金、保證金、體檢費(fèi)、材料費(fèi)、成本費(fèi),或指定醫(yī)院體檢等,求職者有權(quán)要求招聘單位出具物價部門批準(zhǔn)的收費(fèi)許可證明材料,若無法提供相關(guān)證明,請求職者提高警惕,有可能屬于詐騙或違規(guī)行為。
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